SIGMA HD MAT

Описание микроскопа

Свернуть

SIGMA HD доступная в обоих исполнениях (высокий вакуум и режим переменного давления), включает в себя дополнительную электронику, детектор и механику для достижения разрешения всего в 1 нм.

Новый оптимизированный под низкие ускоряющие напряжения детектор обратного рассеяния (HD BSD) позволяет исследовать образцы при экстремально низких для данного типа детекторов ускоряющих напряжениях (750 В – в 3 кВ) и крайне малых токах пучка. Новый HD BSD также обеспечивает наивысшее качество отображение среди детекторов своего класса при напряжениях вплоть до 30 кВ.

Большой размер изображения SIGMA HD в сочетании с большой скоростью сканирования (50 нс на пиксель), позволяет проводить количественную картографию элементов с высокой разрешающей способностью (12К точек x 9K точек). Камера также позволяет одновременную установку использование двух датчиков EDS, диаметрально друг напротив друга. Для образцов чувствительных к пучку это позволяет уменьшить время воздействия при том же качестве количественного рентгеновского микроанализа.


Применение/объекты
Задача
    Возможности ΣIGMA
Проектирование материалов


Получить изображение наноразмерных деталей непроводящего объекта



  • изображение непроводящих объектов с высокой разрешающей способностью при низких ускоряющих напряжениях

  • отличная топография поверхности для чувствительных к лучу образцов

  • способность проникновения в кристаллическую структуру, позволяет получать распределение элементов и оценивать качество спроектированных материалов


  • Структура материала


    Получение информации по тонким срезам о металлических образцах



  • STEM детектор высокого разрешения позволяет исследовать объекты на просвет и получать информацию о внутренних дефектах


  • Анализ частиц


    Измерение размеров частиц непроводящих объектов



  • компенсация заряда, используя переменное давление в камере позволяет получить высоко контрастные изображения с BSD для дальнейшей обработки

  • измерение размеров частиц в сочетании с EDS детектором


  • Анализ разрушений материала


    Исследовать механизмы разрушений и мест образования трещин



  • визуализируйте канальный контраст направлений в материалах, используя селективный по углу детектор обратно рассеянных электронов

  • топография мест микроразрушений с высокой разрешающей способностью


  • Фундаментальные исследования


    Получение изображений мелких деталей поверхности объектов чувствительных к вакууму



  • непревзойденное качество изображений непроводящих объектов при низких ускоряющих напряжениях

  • Технические характеристики

    Свернуть
    Колонна/камера
    Катод
    Катод Шотки с термополевой эмиссией
    Разрешение @ 1кВ
    1.9 нм
    Разрешение @ 15кВ
    1 нм
    Детектор обратнорассеяных электронов (BSD)
    Carl Zeiss BSD
    Максимальная скорость сканирования
    50 нс/пиксель
    Ускоряющее напряжение
    0.02 – 30 кВ
    Увеличение
    10х – 1 000 000х
    Ток пучка
    12 пА – 20 нА (100нА опционально)
    Максимальный размер изображения
    12288 – 9216 пикселей
    Доступные порты
    15
    Специальный порт для EDS
    2
    Вакуумная система
    Режим высокого вакуума
    Есть
    Режим переменного давления
    2 – 133 Па
    Столик
    5ти осевой эуцентрический столик
    Ось Х
    130 мм
    Ось Y
    130 мм
    Ось Z
    50 мм
    Ось T (наклон)
    -3 – +70 градусов
    Ось R (вращение)
    360 градусов без ограничителя

    Яндекс.Метрика